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真空鍍膜技術
真空鍍膜技術

  真空鍍膜技術一般分為兩大類,即物理氣相沉積(PVD)技術和化學氣相沉積(CVD)技術。

  物理氣相沉積技術是指在真空條件下,利用各種物理方法,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,直接沉積到基體表面上的方法。制備硬質反應膜大多以物理氣相沉積方法制得,它利用某種物理過程,如物質的熱蒸發,或受到離子轟擊時物質表面原子的濺射等現象,實現物質原子從源物質到薄膜的可控轉移過程。物理氣相沉積技術具有膜/基結合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應用的靶材廣泛、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩定的合金膜和重復性好等優點。同時,物理氣相沉積技術由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下,因此可作為最終的處理工藝用于高速鋼和硬質合金類的薄膜刀具上。由于采用物理氣相沉積工藝可大幅度提高刀具的切削性能,人們在競相開發高性能、高可靠性設備的同時,也對其應用領域的擴展,尤其是在高速鋼、硬質合金和陶瓷類刀具中的應用進行了更加深入的研究。

  化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體,借助氣相作用或基體表面上的化學反應,在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法,主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

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